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LMG3522R030QRQSRQ1
具有集成驱动器、保护和温度报告功能的650V GaN FET
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- 描述
- 具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。集成了一个硅驱动器，可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，集成式精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成特性与低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在20V/ns至150V/ns之间，这可用于主动控制EMI并优化开关性能。高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaNFET的温度通过可变占空比PWM输出进行报告，这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过流和UVLO监控。
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LMG3522R030QRQSRQ1
- 商品编号
- C22457192
- 商品封装
- VQFN-52(12x12)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.433333克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
LMG3522R030-Q1 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。LMG3522R030-Q1 集成了一个硅驱动器，可实现高达150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之间，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告，这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过流和 UVLO 监控。
商品特性
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
- 温度等级 1:–40℃ 至 +125℃，TA
- 结温:–40℃ 至 +150℃，TJ
- 带集成栅极驱动器的 650V GaN-on-Si FET
- 集成高精度栅极偏置电压
- 200V/ns FET 释抑
- 支持 2MHz 开关频率
- 压摆率范围为 20V/ns 至 150V/ns，用于优化开关性能和缓解 EMI
- 由 7.5V 至 18V 电源供电
- 具备响应时间 < 100ns 的逐周期过流和锁存短路保护
- 硬开关时可承受 720V 浪涌
- 针对内部过热和 UVLO 监控提供自我保护
- 集成数字温度 PWM 输出
- 顶部冷却 12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开，可实现超低的电源环路电感
应用领域
- 开关模式电源转换器
- 商用网络和服务器 PSU
- 商用通信电源整流器
- 车载充电器 (OBC) 和无线充电器
- 直流/直流转换器