LMG3522R030QRQSRQ1

具有集成驱动器、保护和温度报告功能的650V GaN FET

描述

具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。集成了一个硅驱动器，可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，集成式精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成特性与低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在20V/ns至150V/ns之间，这可用于主动控制EMI并优化开关性能。高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaNFET的温度通过可变占空比PWM输出进行报告，这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过流和UVLO监控。

品牌名称

TI(德州仪器)

商品型号

LMG3522R030QRQSRQ1

商品编号

C22457192

商品封装

VQFN-52(12x12)​

包装方式

编带

商品毛重

1.433333克(g)