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AIMZH120R080M1TXKSA1
AIMZH120R080M1TXKSA1
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- 描述
- 特性：VDSS = 1200 V，TVj = -55…175℃。IDDC = 31 A，TC = 25℃。RDS(on) = 80 mΩ，VGS = 20 V，TVj = 25℃。应用：车载充电器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AIMZH120R080M1TXKSA1
- 商品编号
- C22457272
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 耗散功率(Pd) | 169W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 671pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 35pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ |
商品特性
- VDSS = 1200 V at TVj = -55…175℃
- IDDC = 31 A at TC = 25℃
- RDS(on) = 80 mΩ at VGS = 20 V, TVj = 25℃
- 新的性能优化芯片技术 (Gen1p)，具有改进的 RDS(on)×A FOM
- 增加推荐导通电压 (VGS(on) = 20 V) 以降低 RDS(on)
- 同类最佳的开关能量，可降低开关损耗并减少冷却工作
- 最低的器件电容，可实现更高的开关速度和更高的功率密度
- 低 CRSS/Ciss 比和高 VGS(th) 的组合，可避免寄生导通并实现单极栅极驱动
- 降低总栅极电荷 QGtot，以降低驱动功率和损耗
- XT 芯片连接技术，实现同类最佳的热性能
- 用于优化开关性能的检测引脚
- 适用于高压爬电要求
应用领域
- 车载充电器
- DC/DC 转换器
- 辅助驱动器