LMG2100R044RARR
100V 35A GaN半桥功率模块
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- 描述
- LMG2100R044器件是一款90V连续、100V脉冲、35A半桥功率级器件,集成了栅极驱动器和增强型氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)。该器件由两个100V GaN FET组成,采用半桥配置,由一个高频90V GaN FET驱动器驱动。GaN FET在功率转换方面具有显著优势,因为它们具有零反向恢复特性,且输入电容Ciss和输出电容Coss非常小
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LMG2100R044RARR
- 商品编号
- C22453052
- 商品封装
- VQFN-FCRLF-16(4.5x5.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 工作电压 | 4.75V~5.25V | |
| 传播延迟 tpLH | 33ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpHL | 50ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 输入高电平(VIH) | 1.87V~2.22V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.48V~1.76V | |
| 静态电流(Iq) | 200uA |
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