LMG2100R044RARR

100V 35A GaN半桥功率模块

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描述: LMG2100R044器件是一款90V连续、100V脉冲、35A半桥功率级器件，集成了栅极驱动器和增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。该器件由两个100V GaN FET组成，采用半桥配置，由一个高频90V GaN FET驱动器驱动。GaN FET在功率转换方面具有显著优势，因为它们具有零反向恢复特性，且输入电容Ciss和输出电容Coss非常小
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LMG2100R044RARR
商品编号: C22453052
商品封装: VQFN-FCRLF-16(4.5x5.5)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.104167克(g)

商品参数

商品概述

LMG2100R044是一款连续耐压90V、脉冲耐压100V、额定电流35A的半桥功率级，集成了栅极驱动器和增强型氮化镓（GaN）FET。该器件采用半桥结构，两个100V GaN FET由一个高频90V GaN FET驱动器驱动。GaN FET在电源转换中具有显著优势，因为其具有零反向恢复特性，以及极小的输入电容CISS和输出电容COSS。所有器件均封装在无键合线的封装平台上，封装寄生参数被最小化。LMG2100R044采用5.5mm × 4.5mm × 0.89mm无铅封装，可轻松安装在PCB上。TTL兼容逻辑输入可支持3.3V和5V逻辑电平，与VCC电压无关。专有自举电压钳位技术可确保增强型GaN FET的栅极电压处于安全工作范围内。该器件通过提供更友好的接口，扩展了分立式GaN FET的优势，是需要高频、高效运行小尺寸应用的理想解决方案。

商品特性

集成4.4mΩ半桥GaN FET和驱动器
90V连续、100V脉冲耐压额定值
封装经过优化，便于PCB布局
高压摆率开关，振铃低
支持5V外部偏置电源
支持3.3V和5V输入逻辑电平
栅极驱动器最高支持10MHz开关频率
出色的传播延迟（典型值33ns）和匹配性（典型值2ns）
内置自举电源电压钳位，防止GaN FET过驱
电源轨欠压锁定保护
低功耗
外露顶部QFN封装，支持顶部散热
大接地焊盘，支持底部散热

应用领域

降压、升压、升降压转换器
LLC转换器
太阳能逆变器
电信和服务器电源
电机驱动
电动工具
D类音频放大器

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	工作电压	4.75V~5.25V
	传播延迟 tpLH	33ns

	属性	参数值
	传播延迟 tpHL	50ns
	输入高电平(VIH)	1.87V~2.22V
	输入低电平(VIL)	1.48V~1.76V
	静态电流(Iq)	200uA
	功能特性	内置自举二极管；死区时间控制