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LMG2100R044RARR实物图
  • LMG2100R044RARR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LMG2100R044RARR

100V 35A GaN半桥功率模块

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描述
LMG2100R044器件是一款90V连续、100V脉冲、35A半桥功率级器件,集成了栅极驱动器和增强型氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)。该器件由两个100V GaN FET组成,采用半桥配置,由一个高频90V GaN FET驱动器驱动。GaN FET在功率转换方面具有显著优势,因为它们具有零反向恢复特性,且输入电容Ciss和输出电容Coss非常小
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
LMG2100R044RARR
商品编号
C22453052
商品封装
VQFN-FCRLF-16(4.5x5.5)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
驱动通道数2
工作电压4.75V~5.25V
传播延迟 tpLH33ns
属性参数值
传播延迟 tpHL50ns
特性欠压保护(UVP)
输入高电平(VIH)1.87V~2.22V
输入低电平(VIL)1.48V~1.76V
静态电流(Iq)200uA