温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

LMG3526R050RQSR

集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET，适用于开关模式电源转换器

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LMG3526R050RQSR
商品编号: C22453111
商品封装: VQFN-52(12x12)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

参数完善中

商品概述

LMG352xR050氮化镓场效应管集成了驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，使设计人员能够实现新的功率密度和效率水平。 LMG352xR050集成了一个硅驱动器，可实现高达150V/ns的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比，德州仪器（TI）的集成精密栅极偏置可实现更高的开关安全工作区（SOA）。这种集成与德州仪器的低电感封装相结合，可在硬开关电源拓扑中实现干净的开关和最小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在15V/ns至150V/ns之间，可用于主动控制电磁干扰（EMI）并优化开关性能。LMG3526R050包括零电压检测（ZVD）功能，当实现零电压开关时，该功能可从ZVD引脚提供脉冲输出。先进的电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。氮化镓场效应管的温度通过可变占空比PWM输出报告，这简化了设备负载管理。报告的故障包括过流、短路、过热、VDD欠压锁定（UVLO）和高阻抗RDRV引脚。

商品特性

集成栅极驱动器的650V氮化镓硅基场效应管
- 集成高精度栅极偏置电压
- 200V/ns场效应管关断能力
- 3.6MHz开关频率
- 15V/ns至150V/ns压摆率，用于优化开关性能和降低电磁干扰
- 工作电源电压范围为7.5V至18V
强大的保护功能
- 逐周期过流和锁存短路保护，响应时间小于100ns
- 硬开关时可承受720V浪涌
- 通过内部过温和欠压锁定（UVLO）监测实现自我保护
先进的电源管理
- 数字温度PWM输出
- LMG3526R050包括零电压检测（ZVD）功能，有助于实现软开关转换器
顶部散热的12mm×12mm VQFN封装，将电气和热路径分开，实现最低功率环路电感

应用领域

开关模式电源转换器
商用网络和服务器电源
商用电信整流器
太阳能逆变器和工业电机驱动器
不间断电源