- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IXTX90P20P
P沟道 200V 90A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTX90P20P
- 商品编号
- C22450658
- 商品封装
- PLUS247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 890W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 205nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.21nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
该器件为P沟道增强型雪崩额定功率MOSFET，型号为IXTK90P20P和IXTX90P20P。其关键参数包括：漏源击穿电压V_DSS = -200V，在T_J = 25°C下的连续漏极电流I_D25 = -90A，最大导通电阻R_DS(on) ≤ 44mΩ。提供TO-264和PLUS247两种封装选项。
商品特性
- 国际标准封装
- 坚固的PolarPTM工艺
- 雪崩额定
- 快速本征二极管
- 低封装电感
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 高边开关
- 推挽放大器
- 直流斩波器
- 自动测试设备
- 电流调节器