温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

LMG3522R030QRQSTQ1

集成驱动器和保护功能的GaN FET，适用于开关模式电源转换器，具备高级电源管理和数字温度报告功能

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LMG3522R030QRQSTQ1
商品编号: C22450808
商品封装: VQFN-52
包装方式: 编带
商品毛重: 4.2克(g)

商品参数

商品概述

LMG3522R030 - Q1氮化镓场效应晶体管集成了驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，使设计人员能够实现新的功率密度和效率水平。 LMG3522R030 - Q1集成了一个硅驱动器，可实现高达150V/ns的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比，德州仪器（TI）的集成精密栅极偏置可实现更高的开关安全工作区（SOA）。这种集成与德州仪器的低电感封装相结合，在硬开关电源拓扑中实现了干净的开关和最小的振铃。可调节的栅极驱动强度允许将压摆率控制在20V/ns至150V/ns之间，可用于主动控制电磁干扰（EMI）并优化开关性能。先进的电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。氮化镓场效应晶体管的温度通过可变占空比PWM输出报告，简化了设备负载管理。报告的故障包括过温、过流和欠压锁定（UVLO）监测。

商品特性

符合汽车应用的AEC - Q100标准
- 温度等级1：环境温度（TA）为 - 40°C至 + 125°C
- 结温（TJ）为 - 40°C至 + 150°C
集成栅极驱动器的650V氮化镓硅基场效应晶体管
- 集成高精度栅极偏置电压
- 200V/ns的场效应晶体管关断能力
- 2MHz开关频率
- 20V/ns至150V/ns的压摆率，用于优化开关性能和降低电磁干扰
- 工作电源电压范围为7.5V至18V
强大的保护功能
- 逐周期过流和锁存短路保护，响应时间小于100ns
- 硬开关时可承受720V浪涌
- 通过内部过温和欠压锁定监测实现自我保护
先进的电源管理
- 数字温度PWM输出
- 顶部散热的12mm×12mm VQFN封装，将电气和热路径分开，实现最低的功率环路电感

应用领域

开关模式电源转换器
商用网络和服务器电源
商用电信整流器
车载（OBC）和无线充电器DC/DC转换器

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	氮化镓晶体管(GaN HEMT)
	类型	N沟道
	技术路线	D-mode
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	55A
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	-

	属性	参数值
	数量	1个N沟道
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-40℃~+150℃
	输出电容(Coss)	235pF
	导通电阻(RDS(on))	35mΩ