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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 720mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 460W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 445pF |
商品概述
这些功率MOSFET采用Cmos专有的平面条形DMOS技术制造。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
商品特性
-国际标准封装-雪崩额定-耐用的PolarPTM工艺-快速本征二极管-低封装电感-易于安装-节省空间-高功率密度
应用领域
-高端开关-推挽放大器-直流斩波器-电流调节器-自动测试设备