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IXTP6N50D2
耗尽型N沟道MOSFET，采用国际标准封装，具有常开模式，易安装、节省空间、功率密度高
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTP6N50D2
- 商品编号
- C22450645
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 3.247059克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@0V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 255pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
耗尽型MOSFET，有IXTA6N50D2、IXTP6N50D2、IXTH6N50D2型号。VDSX为500V，ID(on)大于等于6A，RDS(on)小于等于550mΩ，N沟道。封装形式有TO - 263 AA (IXTA)、TO - 220AB (IXTP)、TO - 247 (IXTH)，其中G代表栅极、D代表漏极、S代表源极、Tab代表漏极。
商品特性
- 常导通模式
- 国际标准封装
- 模塑环氧树脂符合UL94V - 0阻燃等级
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 音频放大器
- 启动电路
- 保护电路
- 斜坡发生器
- 电流调节器
- 有源负载