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IXTP100N04T2实物图
  • IXTP100N04T2商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTP100N04T2

N沟道增强型雪崩额定功率MOSFET,采用国际标准封装,低封装电感,快速本征整流器,高电流处理能力

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品牌名称
Littelfuse/IXYS
商品型号
IXTP100N04T2
商品编号
C22450640
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))7mΩ@10V
耗散功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)25.5nC
属性参数值
输入电容(Ciss)2.69nF
反向传输电容(Crss)105pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)490pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 国际标准封装
  • 雪崩额定
  • 低封装电感
  • 快速本征整流器,工作温度175°C
  • 高电流处理能力
  • 符合ROHS标准
  • 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(on)
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • 汽车发动机控制
  • 同步降压转换器(用于笔记本系统电源和通用点负载)
  • DC/DC转换器
  • 高电流开关应用
  • 动力系统管理
  • 分布式电源架构

数据手册PDF