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TK6A60D(STA4,X,S)
1个N沟道 耐压:600V 电流:6A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 3.0S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 600V)。 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK6A60D(STA4,X,S)
- 商品编号
- C22438937
- 商品封装
- SC-67
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的SGT技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。
商品特性
- VDS = 100 V，ID = 85 A
- RDS(ON)典型值 = 7.4 mΩ @ VGS = 10 V
- RDS(ON)典型值 = 9.3 mΩ @ VGS = 4.5 V
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 低Crss
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改进的dv/dt能力
应用领域
- DC/DC、AC/DC电流开关
- 电源管理
- 电机驱动、快速/无线充电