温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FH10N60K
1个N沟道 耐压:650V 电流:7.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- FH10N60K
- 商品编号
- C22438939
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.915825克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.84pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容(Coss)特性
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
- 引脚间距达4.25 mm
应用领域
- 开关应用
- LLC转换器、谐振转换器
其他推荐
- AOTF950A70L
- AOTF8T50P
- AOTF12T50P
- AOTF7N70L
- M24512E-FMN6TP
- WF160mm
- CA55-C010M107TE150
- PY32F002BF15P6TR
- PY25Q64HA-SUH-IR
- PY25Q32HB-SUH-IR
- PY25Q32HB-SSH-IR
- RVT1V221M0607
- DB2EAM-3.81-3P-GN
- DB2EAM-3.81-4P-GN
- DB2EAM-3.81-6P-GN
- DB2EAM-3.81-7P-GN
- DB2EAM-3.81-8P-GN
- DB2EAM-3.81-9P-GN
- DB2EAM-3.81-10P-GN
- DB2EAM-3.81-12P-GN
- DB2EBM-3.81-3P-GN