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M24512E-FMN6TP

512-Kbit I2C兼容EEPROM，带可配置设备地址和软件写保护寄存器

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描述: M24512E-F是一款512-Kbit I2C兼容EEPROM，具有可配置设备地址寄存器、软件写保护寄存器和预编程设备地址。支持1.6 V至5.5 V的工作电压范围，工作温度范围为-40°C至+85°C。该器件提供多种封装选项，包括SO8N、TSSOP8和UFDFPN8。
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M24512E-FMN6TP
商品编号: C22438993
商品封装: SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.244克(g)

商品参数

	属性	参数值
	功能特性	内置上电复位(POR)；软件写保护功能；硬件写保护功能；内置错误纠正码(ECC)功能
	工作电压	1.6V~5.5V
	工作温度	-40℃~+85℃
	工作电流	360uA
	待机电流	330nA
	读取访问时间(tA)	-

商品概述

M24512E-F是一款512-Kbit I²C兼容EEPROM（电可擦可编程存储器），组织为64K×8位。该设备可在1.6V至5.5V的供电电压下工作，时钟频率为1MHz或更低，环境温度范围为-40℃至+85℃。M24512E-F提供三个8位寄存器：设备类型标识符（DTI）寄存器永久锁定为只读模式；可配置设备地址（CDA）寄存器允许用户通过软件配置最多八种芯片使能地址；软件写保护（SWP）寄存器允许用户通过软件对部分或全部内存阵列进行写保护。此外，M24512E-F提供一个额外的128字节识别页，可用于存储敏感应用参数，之后可永久锁定为只读模式。该设备有标准的8引脚TSSOP8、SO8N和带WC引脚的UFDFPN8封装，按需提供时可带有预编程并锁定的设备地址。

商品特性

I²C接口兼容1MHz（快速模式+）、400kHz（快速模式）、100kHz（标准模式）
内存规格：512-Kbit（64K字节）EEPROM，页大小128字节，额外128字节识别页
供电电压范围：1.6V至5.5V
工作温度范围：-40℃至+85℃
快速写入周期：字节和页写入在4ms内（典型3.1ms）
增强ESD/闩锁保护，超过400万次写入周期，超过200年数据保留，唤醒时间小于5μs
超低功耗：待机模式330nA（典型），读取电流100μA（典型），写入电流360μA（典型）
高级特性：可配置设备地址寄存器、只读设备类型标识符寄存器、预编程设备地址、软件写保护寄存器、整个内存阵列的硬件写保护、随机和顺序读取模式
封装类型：SO8N、TSSOP8、UFDFPN8（ECOPACK2）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	I2C
	存储容量	512Kbit
	时钟频率(fc)	1MHz
	写周期时间(Tw)	4ms
	数据保留 - TDR(年)	200年
	写周期寿命	400万次