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AOTF8T50P
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 810mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 905pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 42pF |
商品概述
- 最新沟槽功率AlphaMOS-II技术
- 低 RDS(on)
- 低输入电容Ciss和反向传输电容Crss
- 高电流承载能力
- 符合RoHS标准且无卤素
应用领域
- LED和CCFL通用照明-工业、消费和电信领域的AC/DC电源
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