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AOTF7N70L
1个N沟道 耐压:800V 电流:7A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOTF7N70L
- 商品编号
- C22438943
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.175nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 104pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的SGT技术制造。该先进技术经过专门设计，可最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 178 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON)典型值为1.1 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON)典型值为2.1 mΩ
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 低Crss
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- DC/DC、AC/DC电流开关-电源管理-电机驱动、快速/无线充电
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- DB2EAM-3.81-7P-GN
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- DB2EAM-3.81-9P-GN
- DB2EAM-3.81-10P-GN
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