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BSC012N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:230A
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- 描述
- 这款功率MOSFET采用先进的SGT技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- BSC012N06
- 商品编号
- C22436727
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 230A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 166W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.35nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.85nF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的沟槽技术制造。 该器件具备出色的栅极电荷和导通电阻RDS(on)，可大幅降低开关和传导损耗。因此，它非常适用于AC/DC电源转换、负载开关和工业电源应用。
商品特性
- 漏源电压VDS=30V，漏极电流ID=120A
- 导通电阻RDS(on) 典型值=2.1mΩ（栅源电压VGS=10V时）
- 导通电阻RDS(on) 典型值=3.7mΩ（栅源电压VGS=4.5V时）
- 品质因数RDS(on)×Qgd低
- 100%经过雪崩测试
- 易于使用/驱动
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源管理-PWM应用-负载开关
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