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TPM1503PD8L实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM1503PD8L

P沟道 耐压:150V 电流:3A

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
TPM1503PD8L
商品编号
C22435135
商品封装
DFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.26克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))940mΩ@10V
耗散功率(Pd)7.7W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)6.2nC@10V
输入电容(Ciss)200pF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品特性

  • 漏源电压(VDS):-150 V
  • 漏源电流(IDS):-3 A
  • 导通电阻(RDS(ON))(栅源电压(VGS) = -10 V 时):<940 mΩ

应用领域

  • 有源钳位开关
  • 便携式设备和电池供电系统
  • 中间直流/直流电源中的有源钳位

数据手册PDF