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TPSQ3419EV-T1-GE3
P沟道 耐压:40V 电流:5A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPSQ3419EV-T1-GE3
- 商品编号
- C22435158
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 833pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 122pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 40V，漏极电流（ID） = 15A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 13mΩ
应用领域
-反接电池保护-负载开关-电源管理-电机控制