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TPZVP4525E6TA实物图
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TPZVP4525E6TA

P沟道 耐压:250V 电流:0.19A

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
TPZVP4525E6TA
商品编号
C22435160
商品封装
SOT-23-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.2165克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)190mA
导通电阻(RDS(on))14Ω@10V
耗散功率(Pd)1.6W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@1mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)2.4nC@10V
输入电容(Ciss)73pF
反向传输电容(Crss)8pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)13pF

数据手册PDF

优惠活动

  • 9.5

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