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TP2522N8-G实物图
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TP2522N8-G

P沟道 耐压:220V 电流:0.26A

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
TP2522N8-G
商品编号
C22435147
商品封装
SOT-89-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.273333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)220V
连续漏极电流(Id)260mA
导通电阻(RDS(on))12Ω@10V
耗散功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@1mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)4.9nC@10V
输入电容(Ciss)75pF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)20pF

数据手册PDF

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