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TP2522N8-G
P沟道 耐压:220V 电流:0.26A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TP2522N8-G
- 商品编号
- C22435147
- 商品封装
- SOT-89-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.273333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 220V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 75pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
~~- 低阈值电压-沟槽MOSFET技术-极快速开关-通过AEC-Q101认证
应用领域
-固态继电器-便携式设备和电池-电信交换机