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TPM3060NK3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM3060NK3

耐压:30V 电流:48.5A

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
TPM3060NK3
商品编号
C22435152
商品封装
TO-252-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.834克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)48.5A
导通电阻(RDS(on))8.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)50W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
栅极电荷量(Qg)22nC
输入电容(Ciss)1.219nF
反向传输电容(Crss)88pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)182pF

商品特性

~~- 低导通电阻-栅极具备高达2kV HBM的ESD保护-高速开关-驱动电路简单-易于并联使用

应用领域

  • N沟道增强型效应晶体管-开关应用

数据手册PDF