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SI7115DN
P沟道 耐压:150V 电流:8.6A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- SI7115DN
- 商品编号
- C22435138
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0952克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 296mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@6V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.19nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 61pF |
商品概述
SOT - 363塑封封装的N沟道MOS场效应管。
商品特性
- 漏源电压(VDS):-150 V
- 漏源电流(IDS):-8.6 A
- 导通电阻(RDS(ON))(栅源电压(VGS) = -10 V时):<296 mΩ
应用领域
- 负载开关
- 便携式设备和电池供电系统
- 中间直流/直流电源中的有源钳位