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IXTP2R4N120P
1200V N沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- 特性：国际标准封装。 低Qs。 雪崩额定。 低封装电感。 快速本征整流器。 高功率密度。应用：DC-DC转换器。 开关模式和谐振模式电源
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTP2R4N120P
- 商品编号
- C22405525
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.207nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 57pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 60V、30A，VGS = 10V时，RDS(ON) = 23mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 有环保器件可供选择
应用领域
- 电机驱动
- 电动工具
- LED照明