- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 890W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 205nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 11.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 93pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.15nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 国际标准封装
- miniBLOC,带氮化铝隔离
- 耐用的PolarPTM工艺
- 雪崩额定
- 低封装电感
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 高端开关
- 推挽放大器
- 直流斩波器
- 自动测试设备
- 电流调节器