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IXTH48P20P
P沟道增强型雪崩额定功率MOSFET，采用国际标准封装，具备低封装电感和快速本征二极管
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTH48P20P
- 商品编号
- C22409675
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 462W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.04nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
-国际标准封装-耐用的PolarPTM工艺-雪崩额定-低封装电感-快速本征二极管-易于安装-节省空间-高功率密度
应用领域
-高端开关-推挽放大器-直流斩波器-自动测试设备-电流调节器