- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IS43LQ16256B-062BLI
4Gb 移动版 LPDDR4/LPDDR4X 内存
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- 描述
- 是4Gbit CMOS LPDDR4 SDRAM。产品组织为每个设备1个通道，通道为8个存储体和16位。使用双数据速率架构实现高速运行，本质上是16N预取架构，接口设计为在I/O引脚上每个时钟周期传输两个数据字。提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。数据路径内部采用流水线处理，预取16n位以实现非常高的带宽。 片上温度传感器，其状态可从MR4读取。
- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS43LQ16256B-062BLI
- 商品编号
- C22409682
- 商品封装
- FBGA-200(10x14.5)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 时钟频率(fc) | 1.6GHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.7V~1.95V；570mV~650mV；1.06V~1.17V | |
| 功能特性 | 自动预充电；自动重置；自动刷新；高速时钟同步 | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
商品概述
IS43/46LQ16256B 和 IS43/46LQ16256BL 是 4Gbit CMOS LPDDR4 同步动态随机存取存储器。该器件组织为每器件 1 个通道，每个通道包含 8 个存储体，数据宽度为 16 位。此产品采用双倍数据率架构以实现高速运行。该双倍数据率架构本质上是 16N 预取架构，其接口设计为在输入/输出引脚处每个时钟周期传输两个数据字。此产品提供完全同步的操作，参考时钟的上升沿和下降沿。数据路径在内部采用流水线设计，并预取 16N 位数据以实现极高的带宽。片上温度传感器的状态可从模式寄存器 4 读取。
商品特性
- 配置：256Mb x16 x 1 通道，每通道 8 个内部存储体
- 低电压核心与输入/输出电源：VDD1 = 1.70~1.95V，VDD2 = 1.06~1.17V，VDDQ = 1.06~1.17V (LPDDR4)，VDDQ = 0.57~0.65V (LPDDR4X)
- 低电压摆幅终端逻辑输入/输出接口
- 内部基准电压与基准电压训练
- 动态片内终端电阻：数据线终端电阻接 VSSQ，命令/地址线终端电阻接 VSS
- 最大时钟频率：1866MHz (3733Mbps)
- 16N 预取双倍数据率架构
- 单倍数据率命令/地址总线
- 每字节数据配备双向/差分数据选通
- 可编程突发长度
- ZQ 校准
- 工作温度范围：工业级 (Tc = -40℃ ~ 95℃)，汽车 A1 级 (Tc = -40℃ ~ 95℃)，汽车 A2 级 (Tc = -40℃ ~ 105℃)，汽车 A3 级 (Tc = -40℃ ~ 125℃)
- 时钟停止功能
- 绿色封装：200 球 BGA (10mm x 14.5mm)，100 球 BGA (10mm x 7.5mm)