- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MX25V1006FZUI-TR
MX25V1006FZUI-TR
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX25V1006FZUI-TR
- 商品编号
- C22407163
- 商品封装
- USON-8(2x3)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 104MHz | |
| 工作电压 | 2.3V~3.6V | |
| 待机电流 | 5uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 1.6ms | |
| 块擦除时间(tBE) | 600ms@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | - | |
| 功能特性 | - |
商品特性
- 电压范围VCC：2.3V - 3.6V
- 支持双I/O
- 低功耗
- 支持条件加速tBE和tCE
- 支持串行外设接口 - 模式0和模式3
- 1,048,576 x 1位结构或524,288 x 2位（双输出模式）结构，每个扇区4K字节或每个块32K/64K字节
- 任何块都可以单独擦除
- 单电源操作，读取、擦除和编程操作电压为2.3至3.6伏
- 锁存保护，从 -1V到Vcc +1V可承受100mA电流
- 高性能
- 快速读取：
- 1 I/O：
- 2.7V - 3.6V时，8个空周期下为104MHz
- 2.3V - 2.7V时，8个空周期下为80MHz
- 双读取（DREAD）指令的2 I/O：
- 2.7V - 3.6V时，4个空周期下为104MHz
- 2.3V - 2.7V时，4个空周期下为80MHz
- 快速编程时间：1.6ms/页（256字节）
- 字节编程时间：20μs
- 快速擦除时间：
- 50ms（典型值）/扇区（每个扇区4K字节）
- 0.3s（典型值）/块（每个块32K字节）
- 0.6s（典型值）/块（每个块64K字节）
- 1.8s（典型值）/芯片
- 低功耗
- 50MHz时低有源读取电流：6mA（最大值）
- 低有源编程电流：5mA（典型值）/页
- 低有源扇区擦除电流：5mA（典型值）
- 低待机电流：5μA（典型值）
- 深度掉电模式：1μA（典型值）
- 最小100,000次擦除/编程周期
- 20年数据保留
- 输入数据格式：1字节命令代码
- 块锁定保护：BP0 - BP3状态位定义软件保护区域的大小，防止编程和擦除指令
- 自动擦除和自动编程算法
- 自动擦除并验证所选扇区的数据
- 通过内部算法自动编程并验证所选页面的数据，该算法自动确定编程脉冲宽度（任何要编程的页面应首先处于擦除状态）
- 状态寄存器功能
- 电子识别
- JEDEC 2字节设备ID
- RES命令，1字节设备ID