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RCQ3310D
2个N沟道 耐压:30V 电流:42A
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- 描述
- N+N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：42A 功率(Pd)：35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RCQ3310D
- 商品编号
- C22399952
- 商品封装
- PDFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.053克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |