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RC20N04
1个N沟道 耐压:40V 电流:20A
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- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC20N04
- 商品编号
- C22399955
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.395克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AGM208D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 100%保证抗雪崩能力(EAS)
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的dv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- MB/VGA内核电压
- 开关电源二次侧同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器
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