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RCS023N10BQ
1个N沟道 耐压:100V 电流:305A
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- 描述
- N沟道 Super Trench FET 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：416W 导通电阻(RDS(on)Max@Vgs,Id)：2.3mΩ@10V,50A
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RCS023N10BQ
- 商品编号
- C22399957
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.773333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 305A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 416W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 224nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 350pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.7nF |
商品概述
AGMH606H将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 超级沟槽场效应晶体管(Super TrenchFET)功率MOSFET
- 经过100%雪崩测试
- 改善了dv/dt能力
应用领域
- 初级侧开关
- 不间断电源