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RC30N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：33mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC30N06
- 商品编号
- C22399954
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V,漏极电流ID = 30A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 33 mΩ
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
- 采用特殊工艺技术,具备高静电放电(ESD)能力
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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