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SI4816DY-T1-E3-VB
N沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 描述
- SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4816DY-T1-E3-VB
- 商品编号
- C22390090
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A；12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V；9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.98W；4.16W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V；39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF；2.29nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF；117pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 205pF；360pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义,无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-笔记本电脑逻辑电路直流-直流转换-低电流直流-直流转换
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