温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
EM6M2T2R-VB
N沟道+P沟道 耐压:20V 电流:600mA
- 描述
- SC75-6；N+P—Channel沟道,±20V；0.6/-0.3A；RDS(ON)=270/660mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.7/-0.8V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- EM6M2T2R-VB
- 商品编号
- C22389021
- 商品封装
- SC-75-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA；300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@4.5V；660mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV；800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1nC@5V；2.4nC@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻 (Rg) 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备的负载/电源开关
- 驱动器：继电器、螺线管、显示器
- 电池供电系统
相似推荐
其他推荐
- AM2326N-T1-PF-VB
- TPC8032-H-VB
- JCS12N65FT-O-F-N-B-VB
- 20N65-VB
- SPP5413T252RG-VB
- SI4162DY-T1-GE3-VB
- ZXMN3A01FTA-VB
- FDW2502P-VB
- AO6802-VB
- SFT1350.-VB
- SUB85N08-08-GE3-VB
- EM6K6T2R-VB
- QS6M3TR-VB
- 2SK1582-T1B-A-VB
- AM2398NE-T1-PF-VB
- AP2302GN-HF-VB
- APM2306AAC-VB
- UF8010G-TA3-T-VB
- SSM3J334R-VB
- AUIRFR4105ZTRPBF-VB
- BSO080P03NS3E G-VB