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SI4162DY-T1-GE3-VB
N沟道 耐压:30V 电流:13A
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- 描述
- SOP8；N—Channel沟道,30V；25A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4162DY-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C22389027
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 195pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%栅极电阻（Rg）测试
- 100%非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 适配器开关
- 大电流负载开关
- 笔记本电脑
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