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SUB85N08-08-GE3-VB
N沟道 耐压:80V 电流:120A
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- 描述
- TO263；N—Channel沟道,80V；120A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SUB85N08-08-GE3-VB
- 商品编号
- C22389032
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 370W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.395nF |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
应用领域
- 负载开关
- 电池开关
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