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QS6M3TR-VB
N沟道+P沟道 耐压:20V 电流:5.5A
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- 描述
- SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- QS6M3TR-VB
- 商品编号
- C22389034
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V；20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A；3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V；55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.15W；1.15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV@250uA；800mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC@15V；3.6nC@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合欧盟2011/65/EU号RoHS指令
应用领域
- 或门
- 服务器
- DC/DC
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