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EM6K6T2R-VB

N沟道 耐压:20V 电流:600mA

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描述
SC75-6；2个N—Channel沟道,20V；0.6A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.4~1V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
EM6K6T2R-VB
商品编号
C22389033
商品封装
SC-89-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)600mA
导通电阻(RDS(on))300mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)220mW
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13nC@8V
输入电容(Ciss)43pF
反向传输电容(Crss)8pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)14pF

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