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TPC8032-H-VB

N沟道 耐压:30V 电流:18A

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描述
SOP8；N—Channel沟道,30V；18A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
TPC8032-H-VB
商品编号
C22389023
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.24克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))4mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.8W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)15nC@10V
输入电容(Ciss)820pF
反向传输电容(Crss)73pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)195pF

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