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TLV521DCKR(UMW)

毫微功耗、350nA、RRIO、CMOS 输入运算放大器

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描述: TLV521 350 nA 微功耗运算放大器在德州仪器（TI）的微功耗运算放大器系列中提供了最优的性价比。TLV521 采用精心设计的 CMOS 输入级，可实现低至 1 pA 的偏置电流（Ibias），从而减少偏置电流（IBIAS）和失调电流（IOS）误差，这些误差可能会对诸如兆欧级电阻、高阻抗光电二极管和电荷感应等敏感应用产生影响。此外，内置的电磁干扰（EMI）保护功能降低了对手机和射频识别（RFID）阅读器等设备产生的有害射频信号的敏感度
品牌名称: UMW(友台半导体)
商品型号: TLV521DCKR(UMW)
商品编号: C22365305
商品封装: SC-70-5
包装方式: 编带
商品毛重: 0.036667克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	运算放大器
	放大器数	单路
	最大电源宽度(Vdd-Vss)	5.5V
	轨到轨	轨到轨输入,轨到轨输出
	增益带宽积(GBP)	6kHz
	输入失调电压(Vos)	3mV
	输入失调电压温漂(Vos TC)	1.5uV/℃
	压摆率(SR)	2.9V/ms
	输入偏置电流(Ib)	1pA

	属性	参数值
	输入失调电流(Ios)	-
	噪声密度(eN)	300nV/√Hz@100Hz
	共模抑制比(CMRR)	90dB
	输入失调电流温漂(Ios TC)	-
	静态电流(Iq)	350nA
	输出电流	11mA
	工作温度	-40℃~+125℃
	单电源	1.7V~5.5V

商品概述

TLV521是一款350nA毫微功耗运算放大器。其互补金属氧化物半导体(CMOS)输入级经过精心设计，能够实现1pA的超低Ibias，从而减少IBIAS和IOS误差，以免影响兆欧级电阻、高电阻光电二极管以及充电感测等敏感型应用。此外，内置的电磁干扰(EMI)保护可降低器件对手机和RFID阅读器所发出意外射频(RF)信号的敏感度。 TLV521采用SC70 - 5封装，运行温度范围为 - 40°C至125°C。

商品特性

超低电源电流 – 典型值为350nA，最大值为500nA
宽工作电压范围：1.7V至5.5V
低TCVOS：1.5μV/°C
VOS：3mV（最大值）
输入偏置电流为1pA
电源抑制比(PSRR)：100dB
共模抑制比(CMRR)：90dB
开环增益：110dB
增益带宽积：6kHz
转换率：2.5V/ms
输入电压噪声（f = 100Hz时）：300nV/√Hz
温度范围： - 40°C至125°C
轨到轨输入和输出(RRIO)

应用领域

无线远程传感器
电力线监视电能表
电池供电类工业传感器
微功耗氧传感器和毒气传感器
有源RFID阅读器
基于Zigbee的传感器（用于HVAC控制）
通过能量采集方式供电的传感器网络
电流感测
血糖监测

数据手册PDF

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