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WPM2015-3/TR-ES
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- P沟道，-20V，-2.3A，90mΩ@-4.5V,-2.3A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- WPM2015-3/TR-ES
- 商品编号
- C21713835
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031367克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
WPM2015-3/TR-ES是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供出色的漏源导通电阻。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM2015-3/TR-ES为无铅产品。
商品特性
- -20V,RDS(ON) = 90 m Ω(典型值)@ VGS = -4.5 V
- R DS(ON) = 110 m Ω(典型值)@ V GS = - 2. 5 V
- 快速开关
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- 直流/直流转换