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AO4468-ES
1个N沟道 耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- N沟道，30V，12A，9mΩ@10V,10A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- AO4468-ES
- 商品编号
- C21713851
- 商品封装
- SOP8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13775克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 122pF |
商品概述
AO4468 - ES 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 AO4468 - ES 无铅。
商品特性
- 30V 时，RDS(ON) = 8.3mΩ（典型值），VGS = 10V
- RDS(ON) = 12.5mΩ（典型值），VGS = 4.5V
- 高密度单元设计，实现低导通电阻 RDS(on)
- 材料：无卤素
- 可靠且耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式 PC 电源管理
- DC/DC 转换