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SIS412DN-T1-GE3-ES
1个N沟道 耐压:30V 电流:24.1A
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- 描述
- N沟道，30V，26A，16.0mΩ@10V,20.0A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- SIS412DN-T1-GE3-ES
- 商品编号
- C21713860
- 商品封装
- PDFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10578克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V；24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 512pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品概述
SIS412DN-T1-GE3-ES是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品SIS412DN-T1-GE3-ES为无铅产品。
商品特性
- 30V，栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 16毫欧（典型值）
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 24毫欧（典型值）
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式电脑的电源管理-DC/DC转换
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