AO4409-ES
1个P沟道 耐压:30V 电流:14A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- P沟道,-30V,-14A,6.8mΩ@-10V,-12A,-1.7V@-250uA;用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- AO4409-ES
- 商品编号
- C21713852
- 商品封装
- SOP8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.183967克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V;9.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 358pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品概述
AO4409-ES采用先进的沟槽技术MOSFET,提供出色的导通状态漏源电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AO4409-ES无铅。
商品特性
- -30V导通状态漏源电阻(RDS(ON)) = 6.8 mΩ(典型值)@VGS = -10V
- 导通状态漏源电阻(RDS(ON)) = 9.5 mΩ(典型值)@栅源电压(VGS) = - 4.5V
- 快速开关
- 高密度单元设计,实现低导通状态漏源电阻(RDS(on))
- 材料:无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换
