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IRF7341TRPBF
2个N沟道 耐压:55V 电流:4.7A
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- 描述
- N沟道,55V,4.9A,50mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7341TRPBF
- 商品编号
- C21791
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.286克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进，具有更好的热特性和多芯片封装能力，使其非常适合各种功率应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时，可大幅减少电路板占用空间。该封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。在典型的PCB安装应用中，功率耗散可大于0.8W。
商品特性
- 超低导通电阻
- 表面贴装
- 动态dv/dt额定值
- 快速开关
- 无铅