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IL261E
高速五通道数字隔离器
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- 描述
- 采用专利的IsoLoop自旋电子巨磁阻（GMR）技术制造的CMOS器件。独特的陶瓷/聚合物复合屏障提供出色的隔离性能和几乎无限的屏障寿命。所有发射和接收通道在全温度和电源电压范围内以110 Mbps的速度运行。对称磁耦合屏障的典型传播延迟仅为10 ns，脉冲宽度失真为2 ns，达到任何隔离器的最佳规格
- 品牌名称
- NVE
- 商品型号
- IL261E
- 商品编号
- C224321
- 商品封装
- SOIC-16-300mil
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字隔离器 | |
| 正向通道数 | 4 | |
| 反向通道数 | 1 | |
| 最大数据速率 | 110Mbps | |
| 默认输出 | - | |
| 隔离电压(Vrms) | 2500 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| CMTI(kV/us) | 50kV/us | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电压(VCCA) | 3V~5.5V | |
| 工作电压(VCCB) | 3V~5.5V | |
| 传播延迟(tpd) | 10ns |
商品特性
- 高速：110 Mbps
- 通道典型静态电流：1.2 mA
- 高隔离度：6 kV RMS 加强型隔离（V系列）
- 高工作电压：1 kV RMS，符合VDE V 0884-10标准（V系列）
- 共模瞬态抗扰度：典型值50 kV/μs；最小值30 kV/μs
- 无需载波或时钟，低EMI辐射和敏感度
- 工作温度范围：-40℃至+85℃
- 寿命：44000年
- 优异的磁抗性
- 典型脉宽失真：2 ns
- 脉冲抖动：100 ps
- 典型传播延迟偏差：4 ns
- 典型传播延迟：10 ns
- 通道间偏差：2 ns
- 通过VDE V 0884-10认证；UL 1577认可
- 封装：0.15" 和 True 8 mm 16-pin SOIC；16-pin QSOP
应用领域
- 仪器仪表
- 原型和特性分析
- 精密测量
- 生产系统
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
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