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IRF2907ZSTRLPBF-VB实物图
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IRF2907ZSTRLPBF-VB

1个N沟道 耐压:80V 电流:215A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET器件，采用Trench工艺，适用于高功率、高压的应用环境。它可广泛应用于各种功率电子系统中。TO263；N—Channel沟道,80V；215A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRF2907ZSTRLPBF-VB
商品编号
C20626260
商品封装
TO-263(D2PAK)​
包装方式
管装
商品毛重
5.22克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)215A
导通电阻(RDS(on))5mΩ@10V；9.5mΩ@7.5V
耗散功率(Pd)375W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)94nC@10V
输入电容(Ciss)7.91nF
反向传输电容(Crss)348pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)3.25nF

数据手册PDF

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