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SIS443DN-T1-GE3-VB
1个P沟道 耐压:40V 电流:45A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET，采用Trench技术，适用于多种电源控制和开关应用。QFN8(3X3)；P—Channel沟道,-40V；-45A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIS443DN-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C20626264
- 商品封装
- QFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.195克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.125nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 554pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 615pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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