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AO4801A-VB

2个P沟道 耐压:30V 电流:7.3A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款双通道功率场效应管，采用Trench工艺，适用于需要高功率和高耐压的应用场景，包括电源开关、电机控制、汽车电子和LED照明等领域的相关模块。SOP8；2个P—Channel沟道,-30V；-7.3A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AO4801A-VB
商品编号
C20626277
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.16克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)7.3A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)5W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)17nC
输入电容(Ciss)1.35nF
反向传输电容(Crss)185pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)215pF

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