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SI1912EDH-T1-GE3-VB
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.6A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型+N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种应用场景。SC70；2个N—Channel沟道,20V；2.6A；RDS(ON)=86mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI1912EDH-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C20626280
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0157克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 86mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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