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STP6NB80FP-VB
1个N沟道 耐压:800V 电流:5A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型沟道功率MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于各种功率控制和开关电路。TO220F；N—Channel沟道,800V；5A；RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STP6NB80FP-VB
- 商品编号
- C20626265
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 490pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 800pF |
商品概述
AGM318MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON)，以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- 主板/显卡核心电压-开关电源二次同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器
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