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SiA923EDJ-T1-GE3-VB
2个P沟道 耐压:30V 电流:5.4A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双P型MOSFET，采用Trench技术，适用于各种电源和功率控制应用。DFN6(2X2)；2个P—Channel沟道,-30V；-5.4A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SiA923EDJ-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C20626263
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@10V；60mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率 MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 电源-次级同步整流-DC/DC 转换器
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